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portada Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Editorial
Idioma
Inglés
N° páginas
294
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
24.4 x 17.0 x 1.7 cm
Peso
0.49 kg.
ISBN13
9789048171484

Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design (en Inglés)

Grabinski, Wladyslaw ; Nauwelaers, Bart ; Schreurs, Dominique (Autor) · Springer · Tapa Blanda

Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design (en Inglés) - Grabinski, Wladyslaw ; Nauwelaers, Bart ; Schreurs, Dominique

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Reseña del libro "Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design (en Inglés)"

This comprehensive volume presents a wealth of practical knowledge in the field of MOS transistor modeling. Coverage includes the 2/3D process and device simulations with a focus on high-voltage MOSFET devices, the development of both PSP and EKV models, and comparisons of physics-based MOSFET models with measurement-based models. The variety of subjects and the high quality content of this volume make it a preferred reference for researchers and users of MOSFET devices and models. The book is recommended for everyone involved in compact model developments, numerical TCAD modeling, parameter extraction, space-level simulation or model standardization.

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El libro está escrito en Inglés.
La encuadernación de esta edición es Tapa Blanda.

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