Name: Technology CAD -- Computer Simulation of IC Processes and Devices (en Inglés)
Price: 1274383.00 COP
Availability: InStock
Author: Dutton, Robert W. ; Zhiping Yu
ISBN: 9781461364085

portada Technology CAD -- Computer Simulation of IC Processes and Devices (en Inglés)

Formato

Libro Físico

Autor

Robert W. Dutton

Zhiping Yu

Editorial

Springer

Idioma

Inglés

N° páginas

373

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

23.4 x 15.6 x 2.1 cm

Peso

0.55 kg.

ISBN13

9781461364085

Categorías

Cam: manufactura asistida por ordenador
Ingeniería eléctrica
Dispositivos y materiales electrónicos
Diseño asistido por ordenador (cad)

Technology CAD -- Computer Simulation of IC Processes and Devices (en Inglés)

Robert W. Dutton (Autor) · Zhiping Yu (Autor) · Springer · Tapa Blanda

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Reseña del libro "Technology CAD -- Computer Simulation of IC Processes and Devices (en Inglés)"

129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium .......... . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects ..... . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction ............. . 197 5.2 The MOS Capacitor ........ . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction ... 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis ... 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model ...