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single electron spin measurements in submicron si mos-fets random telegraph signal, single electron
Ming Xiao (Autor)
·
vdm verlag
· Libro Físico
single electron spin measurements in submicron si mos-fets random telegraph signal, single electron - ming xiao
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Reseña del libro "single electron spin measurements in submicron si mos-fets random telegraph signal, single electron"
presented is our measurements of a single electronic spin in the gate oxide of submicron-size silicon field effect transistors. defects near the silicon and silicon dioxide interface have profound effects on the transistor conduction properties. for a ...
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